Verfahren zur Herstellung von Verbindungen mit Niedrigem Widerstand und Niedriger Induktivität in Hochstrom-Halbleiterbauelementen
EP1932173
Art A2
18. Juni 2008
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1932173
- Aktenzeichen
- EP06814056
- Anmeldetag
- 31. August 2006
- Veröffentlichung
- 18. Juni 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/528H01L23/485H01L21/60
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
3.600 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Weitere Vertreter
-
Holt, Michael
NoneNorthampton