N-Polarer Feldeffekttransistor mit Aluminium-Galliumnitrid-/galliumnitrid-Verstärkungs-Modus
EP1932181
Art A2
18. Juni 2008
Anmelder: The Regents of the University of California 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1932181
- Aktenzeichen
- EP06851277
- Anmeldetag
- 18. September 2006
- Veröffentlichung
- 18. Juni 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/66H01L29/04H01L29/43// H01L29/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- The Regents of the University of California
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
University of California
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Vertreten von
Oxley, Rachel Louise
London, Großbritannien
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Paget, Hugh Charles Edward
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