Halbleiter-Heterostruktur

EP1933384 Art B1 13. Februar 2013

Anmelder: Soitec, S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies S.A. 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1933384
Aktenzeichen: EP06291955
Anmeldetag: 15. Dezember 2006
Veröffentlichung: 13. Februar 2013
Erteilung: 13. Februar 2013
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/15

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Soitec
S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies S.A.
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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