Verfahren zur Herstellung einer SiN:H-Schicht auf einem Substrat
EP1933391
Art A1
18. Juni 2008
Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1933391
- Aktenzeichen
- EP06125817
- Anmeldetag
- 11. Dezember 2006
- Veröffentlichung
- 18. Juni 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L31/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Applied Materials, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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Vertreten von
Schickedanz, Willi
Offenbach, Deutschland
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