Verfahren zur Herstellung eines Transistors mit Selbstjustierten Kontakten

EP1935012 Art B1 24. Juli 2019

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1935012
Aktenzeichen
EP06814666
Anmeldetag
14. September 2006
Veröffentlichung
24. Juli 2019
Erteilung
24. Juli 2019
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/768H01L29/66
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Texas Instruments Incorporated
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

3.600 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von
Zeller, Andreas Texas Instruments Deutschland GmbH · Inhouse Freising, Deutschland
1.261
Patente gesamt
26
Fachgebiete
14
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