Verfahren zur Herstellung eines Transistors mit Selbstjustierten Kontakten
EP1935012
Art B1
24. Juli 2019
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1935012
- Aktenzeichen
- EP06814666
- Anmeldetag
- 14. September 2006
- Veröffentlichung
- 24. Juli 2019
- Erteilung
- 24. Juli 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L29/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
-
Holt, Michael
NoneNorthampton