Halbleiterbauelement mit einem Bipolaren Transistor und Herstellungsverfahren dafür
EP1935023
Art B1
2. Februar 2011
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1935023
- Aktenzeichen
- EP06821136
- Anmeldetag
- 22. September 2006
- Veröffentlichung
- 2. Februar 2011
- Erteilung
- 2. Februar 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/737H01L21/331H01L29/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.918 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Williamson, Paul Lewis
Eindhoven, Niederlande
1.451
Patente gesamt
19
Fachgebiete
11
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
White, Andrew Gordon
NoneEindhoven