Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür

EP1935027 Art B1 28. Juni 2017

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1935027
Aktenzeichen: EP06798504
Anmeldetag: 3. Oktober 2006
Veröffentlichung: 28. Juni 2017
Erteilung: 28. Juni 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786H01L51/10H01L51/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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