Herstellungsverfahren eines SOI-Substrats durch Assoziation von Zonen auf Siliziumbasis und Zonen auf GaAs-Basis
EP1936669
Art B1
19. August 2009
Anmelder: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1936669
- Aktenzeichen
- EP07123409
- Anmeldetag
- 17. Dezember 2007
- Veröffentlichung
- 19. August 2009
- Erteilung
- 19. August 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L21/762H01L21/8258
Abstract
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Anmelder
- Firma
- COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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Fachgebiete
Vertreten von
Poulin, Gérard
Paris, Frankreich
1.981
Patente gesamt
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19
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Schwerpunkte