Tief-Submikrometer-MOS-Vorverstärker mit Dickoxid-Eingabestufe-Transistor

EP1936689 Art B1 14. März 2012

Anmelder: Epcos Pte Ltd, Sonion A/S 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1936689
Aktenzeichen: EP07150087
Anmeldetag: 18. Dezember 2007
Veröffentlichung: 14. März 2012
Erteilung: 14. März 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H03F3/187H03F1/52H03F1/56H01L21/8234H01L27/088H03F3/185H04R1/00H04R3/00

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

🇩🇪 EPCOS

Deutscher Hersteller elektronischer Bauelemente wie Kondensatoren und Sensoren mit Sitz in München, seit 2009 Teil des japanischen TDK-Konzerns.

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