Feldeffekttransistorvorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
EP1936697
Art B1
9. März 2016
Anmelder: IMEC, Interuniversitair Microelektronica Centrum (IMEC) 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1936697
- Aktenzeichen
- EP07150279
- Anmeldetag
- 20. Dezember 2007
- Veröffentlichung
- 9. März 2016
- Erteilung
- 9. März 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778H01L29/78H01L21/336H01L21/338
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- IMEC
Interuniversitair Microelektronica Centrum (IMEC) - Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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