Herstellungsverfahren eines Transistors

EP1936711 Art B1 13. Juli 2016

Anmelder: Palo Alto Research Center Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1936711
Aktenzeichen: EP07123988
Anmeldetag: 21. Dezember 2007
Veröffentlichung: 13. Juli 2016
Erteilung: 13. Juli 2016
Rechtsraum: EP
IPC: H01L51/40// H01L51/05

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Palo Alto Research Center Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Palo Alto Research Center

US-amerikanisches Forschungsinstitut in Palo Alto, bekannt als PARC, das für Xerox und externe Auftraggeber Grundlagen- und angewandte Forschung in Informatik, Elektronik und Materialwissenschaften betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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