Verfahren zum Herstellen eines Hochdielektrischen Blatts
EP1937043
Art A1
25. Juni 2008
Anmelder: IBIDEN CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1937043
- Aktenzeichen
- EP06821879
- Anmeldetag
- 16. Oktober 2006
- Veröffentlichung
- 25. Juni 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H05K1/16H05K3/46H01L21/48H01L23/498H01L23/50
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- IBIDEN CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Ibiden
Ibiden ist ein japanischer Hersteller elektronischer Materialien mit Sitz in Ogaki, spezialisiert auf IC-Substrate für Halbleiter sowie Keramikprodukte für die Automobil- und Elektronikindustrie.
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Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München