Speicherelement mit Verbesserter Leistung und Herstellungsverfahren dafür
EP1938359
Art A2
2. Juli 2008
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1938359
- Aktenzeichen
- EP06821084
- Anmeldetag
- 13. September 2006
- Veröffentlichung
- 2. Juli 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/792H01L21/336G11C16/04H01L29/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Schouten, Marcus Maria
Eindhoven, Niederlande
3.201
Patente gesamt
30
Fachgebiete
16
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
van der Veer, Johannis Leendert
NoneEindhoven