Neue Materialien zur N-Dotierung der Elektronentransportschichten in Organischen Elektronischen Bauelementen

EP1938399 Art A1 2. Juli 2008

Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1938399
Aktenzeichen: EP06793040
Anmeldetag: 29. August 2006
Veröffentlichung: 2. Juli 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01L51/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

2.304 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von