Verfahren zur Ausprüfung einer bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung Verwendeten Aufschlämmung
EP1943320
Art B1
15. April 2009
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1943320
- Aktenzeichen
- EP05824088
- Anmeldetag
- 25. Oktober 2005
- Veröffentlichung
- 15. April 2009
- Erteilung
- 15. April 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C09G1/00G01N15/04H01L21/30
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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Vertreten von
Ferro, Frodo Nunes
Toulouse, Frankreich
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