Mehrfach-Bauelementetypen, Einschliesslich eines Umgekehrtes-T-Kanal-Transistors und Verfahren dafür
EP1943671
Art A2
16. Juli 2008
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1943671
- Aktenzeichen
- EP06816683
- Anmeldetag
- 10. Oktober 2006
- Veröffentlichung
- 16. Juli 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/4763H01L29/94H01L29/76H01L31/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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Ferro, Frodo Nunes
Toulouse, Frankreich
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