Verfahren zur kontrollierten Erzeugung eines Gate-Dielektrikumstapels

EP1944794 Art A1 16. Juli 2008

Anmelder: IMEC, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Interuniversitair Microelektronica Centrum (IMEC) 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1944794
Aktenzeichen: EP07113225
Anmeldetag: 26. Juli 2007
Veröffentlichung: 16. Juli 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/28H01L29/51

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: IMEC
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.
Interuniversitair Microelektronica Centrum (IMEC)
Land: 🇧🇪 Belgien

🇧🇪 imec

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