Verwendung einer F-basierten Gate-Ätzung zur Passivierung des Hoch-K-/Metall-Gatestapels für tiefe Submikron-Transistor-Technologien

EP1944795 Art A3 30. September 2009

Anmelder: IMEC, Katholieke Universiteit Leuven, INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM vzw (IMEC) 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1944795
Aktenzeichen: EP08150161
Anmeldetag: 10. Januar 2008
Veröffentlichung: 30. September 2009
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/28H01L29/49H01L29/51

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: IMEC
Katholieke Universiteit Leuven
INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM vzw (IMEC)
Land: 🇧🇪 Belgien

🇧🇪 Katholieke Universiteit Leuven

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Fachgebiete

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