Verfahren zur Herstellung eines Substratmontagetisches
EP1944800
Art A3
2. September 2009
Anmelder: Tokyo Electron Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1944800
- Aktenzeichen
- EP07024203
- Anmeldetag
- 13. Dezember 2007
- Veröffentlichung
- 2. September 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/687
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tokyo Electron Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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Fachgebiete
Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München