Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür

EP1946374 Art A1 23. Juli 2008

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1946374
Aktenzeichen: EP06832471
Anmeldetag: 2. November 2006
Veröffentlichung: 23. Juli 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/105H01L21/28H01L21/336H01L27/10H01L27/28H01L29/417H01L29/423H01L29/49H01L29/786H01L51/05

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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