Sic-Pn-Leistungsdiode
EP1946377
Art A2
23. Juli 2008
Anmelder: Infineon Technologies AG, SiCED Electronics Development GmbH & Co KG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1946377
- Aktenzeichen
- EP06793619
- Anmeldetag
- 19. September 2006
- Veröffentlichung
- 23. Juli 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/06H01L29/24H01L29/861
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies AG
SiCED Electronics Development GmbH & Co KG - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Bickel, Michael
München, Deutschland
159
Patente gesamt
24
Fachgebiete
6
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Maier, Daniel Oliver
Siemens AG · München