Amorphoxid-Feldeffekttransistor mit Kristalliner Region an der Grenzfläche von Halbleiter/dielektrikum

EP1946383 Art A1 23. Juli 2008

Anmelder: Canon Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1946383
Aktenzeichen
EP06823223
Anmeldetag
1. November 2006
Veröffentlichung
23. Juli 2008
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/786H01L29/04
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Canon Kabushiki Kaisha
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Canon

Japanischer Konzern mit Sitz in Tokio, der Kameras, Objektive, Drucker, Kopiergeräte sowie optische und medizinische Bildgebungstechnik entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Weser, Wolfgang München, Deutschland
869
Patente gesamt
26
Fachgebiete
2
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Optik & Fototechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik Nachrichtentechnik & Telekommunikation Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung Kunststoff- & Polymertechnik
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