Verfahren zur Herstellung einer Struktur für ein Halbleiterbauelement

EP1949416 Art A2 30. Juli 2008

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1949416
Aktenzeichen
EP06821091
Anmeldetag
15. September 2006
Veröffentlichung
30. Juli 2008
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/285H01L21/768
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
NXP B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

7.818 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen