Grabenkondensatorbauelement mit Eignung für Entkopplungsanwendungen im Hochfrequenzbetrieb
EP1949419
Art A1
30. Juli 2008
Anmelder: Murata Integrated Passive Solutions, IPDIA, NXP B.V. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1949419
- Aktenzeichen
- EP06821322
- Anmeldetag
- 3. November 2006
- Veröffentlichung
- 30. Juli 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Murata Integrated Passive Solutions
IPDIA
NXP B.V. - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Orian, Yvette Suzanne
Paris, Frankreich
72
Patente gesamt
14
Fachgebiete
7
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Cabinet Plasseraud
Cabinet Plasseraud · Paris
-
Vignesoult, Serge L. M
NoneAubervilliers
-
Schouten, Marcus Maria
NoneEindhoven
-
van der Veer, Johannis Leendert
NoneEindhoven