Zusammensetzung für die Immersions-Lithographie zur Bildung eines Oberen Films und Verfahren zur Bildung einer Fotoresiststruktur

EP1950610 Art B1 2. Mai 2012

Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1950610
Aktenzeichen: EP06822224
Anmeldetag: 25. Oktober 2006
Veröffentlichung: 2. Mai 2012
Erteilung: 2. Mai 2012
Rechtsraum: EP
IPC: G03F7/20G03F7/11

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: JSR Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

1.781 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Optik & Fototechnik

Vertreten von