Verfahren zur Herstellung eines III-V-Verbindungshalbleitersubstrats

EP1950800 Art A3 5. Mai 2010

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1950800
Aktenzeichen: EP08000883
Anmeldetag: 17. Januar 2008
Veröffentlichung: 5. Mai 2010
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L21/306C30B29/40C30B33/12

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.182 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von