Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und mit einem Solchen Verfahren Erhaltenes Halbleiterbauelement
EP1952438
Art A1
6. August 2008
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1952438
- Aktenzeichen
- EP06809723
- Anmeldetag
- 27. Oktober 2006
- Veröffentlichung
- 6. August 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Vertreten von
Williamson, Paul Lewis
Eindhoven, Niederlande
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