Tunnelmagnetwiderstands-Effektschicht und magnetische Vorrichtung
EP1953740
Art A3
5. November 2008
Anmelder: Fujitsu Ltd., TOHOKU UNIVERSITY 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1953740
- Aktenzeichen
- EP07122015
- Anmeldetag
- 30. November 2007
- Veröffentlichung
- 5. November 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11B5/39
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Fujitsu Ltd.
TOHOKU UNIVERSITY - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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Vertreten von
Fenlon, Christine Lesley
London, Großbritannien
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