Tunnelmagnetwiderstands-Effektschicht und magnetische Vorrichtung
EP1953740
Art A3
5. November 2008
Anmelder: Fujitsu Ltd., TOHOKU UNIVERSITY 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1953740
- Aktenzeichen
- EP07122015
- Anmeldetag
- 30. November 2007
- Veröffentlichung
- 5. November 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11B5/39
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Fujitsu Ltd.
TOHOKU UNIVERSITY - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fujitsu
Japanisches Unternehmen für Informationstechnik, das Computer, Server, Netzwerktechnik sowie IT-Dienstleistungen und Softwarelösungen entwickelt und anbietet.
17.938 Patente in unserer Datenbank
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
2.166 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Fenlon, Christine Lesley
London, Großbritannien
1.693
Patente gesamt
33
Fachgebiete
14
Anmelder-Länder
Schwerpunkte