Phasenwechselspeichervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür

EP1953842 Art A3 10. März 2010

Anmelder: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE, Powerchip Semiconductor Corp., Nanya Technology Corporation, ProMOS Technologies, Inc., WINBOND ELECTRONICS CORPORATION 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1953842
Aktenzeichen: EP07024442
Anmeldetag: 17. Dezember 2007
Veröffentlichung: 10. März 2010
Rechtsraum: EP
IPC: H01L45/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
Powerchip Semiconductor Corp.
Nanya Technology Corporation
ProMOS Technologies, Inc.
WINBOND ELECTRONICS CORPORATION
Land: 🇨🇳 China

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Taiwanisches Forschungsinstitut für angewandte Technologie, entwickelt und überträgt Innovationen aus Elektronik, Materialwissenschaft und Industrietechnik in die Wirtschaft.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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