Dielektrische Grenzfläche für ein Gruppe-Iii-V-Halbleiterbauelement
EP1955366
Art B1
24. August 2011
Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1955366
- Aktenzeichen
- EP06837855
- Anmeldetag
- 17. November 2006
- Veröffentlichung
- 24. August 2011
- Erteilung
- 24. August 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/314H01L21/28H01L21/335H01L29/49H01L29/51H01L29/778// H01L21/316H01L29/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Intel Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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