Nitridhalbleiter-Leuchtbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Nitridhalbleiter-Leuchtbauelements
EP1956663
Art A1
13. August 2008
Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1956663
- Aktenzeichen
- EP06832425
- Anmeldetag
- 7. November 2006
- Veröffentlichung
- 13. August 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ROHM CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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Vertreten von
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