Verfahren zur Bildung einer Selbstausgerichteten Kupfedeckrschicht
EP1958251
Art A2
20. August 2008
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1958251
- Aktenzeichen
- EP06831944
- Anmeldetag
- 27. November 2006
- Veröffentlichung
- 20. August 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L23/532
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Schouten, Marcus Maria
Eindhoven, Niederlande
3.201
Patente gesamt
30
Fachgebiete
16
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Röggla, Harald
NoneWien