Verfahren zur Herstellung eines Transistors

EP1959481 Art B1 19. Dezember 2012

Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives, COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1959481
Aktenzeichen
EP08101468
Anmeldetag
11. Februar 2008
Veröffentlichung
19. Dezember 2012
Erteilung
19. Dezember 2012
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/28
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

5.929 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen