Herstellungsverfahren einer Struktur vom Typ Halbleiter auf einem Isoliermaterial
EP1959490
Art A1
20. August 2008
Anmelder: STMicroelectronics SA, STMicroelectronics Crolles 2 SAS, STMicroeletronics Crolles 2 SAS 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1959490
- Aktenzeichen
- EP08101631
- Anmeldetag
- 14. Februar 2008
- Veröffentlichung
- 20. August 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics SA
STMicroelectronics Crolles 2 SAS
STMicroeletronics Crolles 2 SAS - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
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de Beaumont, Michel
Grenoble, Frankreich
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