Programmierung einer Einstufigen Zelle in einer Nichtflüchtigen Speichervorrichtung einer Mehrstufigen Zelle
EP1961011
Art B1
20. September 2017
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1961011
- Aktenzeichen
- EP06845109
- Anmeldetag
- 8. Dezember 2006
- Veröffentlichung
- 20. September 2017
- Erteilung
- 20. September 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/04G11C16/10G11C11/56
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
5.073 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Beresford, Keith Denis Lewis
London, Großbritannien
4.132
Patente gesamt
33
Fachgebiete
38
Anmelder-Länder
Schwerpunkte