Technik zur Reduktion von Kristalldefekten in Verspannten Transistoren durch Geneigte Präamorphisierung
EP1961039
Art A1
27. August 2008
Anmelder: GLOBALFOUNDRIES Inc., ADVANCED MICRO DEVICES, INC., Advanced Micro Devices, Inc. 🇰🇾
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1961039
- Aktenzeichen
- EP06827818
- Anmeldetag
- 15. November 2006
- Veröffentlichung
- 27. August 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L21/265
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- GLOBALFOUNDRIES Inc.
ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
Advanced Micro Devices, Inc. - Land
- 🇰🇾 KY
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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