Feldeffekttransistorstruktur mit einer Isolierschicht an der Verbindungsstelle
EP1964164
Art B1
15. Februar 2012
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1964164
- Aktenzeichen
- EP06832148
- Anmeldetag
- 7. Dezember 2006
- Veröffentlichung
- 15. Februar 2012
- Erteilung
- 15. Februar 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/06H01L29/78H01L29/165
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.929 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Williamson, Paul Lewis
Eindhoven, Niederlande
1.451
Patente gesamt
19
Fachgebiete
11
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
White, Andrew Gordon
NoneEindhoven