Selbstausgerichteter epitaktischer Siliziumkarbid-MOSFET und Herstellungsverfahren dafür
EP1965436
Art B1
17. Februar 2016
Anmelder: Cree, Inc., CREE, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1965436
- Aktenzeichen
- EP08250627
- Anmeldetag
- 22. Februar 2008
- Veröffentlichung
- 17. Februar 2016
- Erteilung
- 17. Februar 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/336H01L29/417// H01L29/16H01L29/10H01L29/423H01L29/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Cree, Inc.
CREE, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Cree
US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.
1.232 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Portch, Daniel
Sevenoaks, Großbritannien
530
Patente gesamt
32
Fachgebiete
9
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Wraige, David Leslie Charles
NoneLondon
-
Dunlop, Brian Kenneth Charles
NoneCheltenham