Immersionslithographievorrichtung und Verfahren zur Durchführung der Immersionslithographie
EP1966652
Art B1
29. Juni 2011
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1966652
- Aktenzeichen
- EP05825581
- Anmeldetag
- 22. Dezember 2005
- Veröffentlichung
- 29. Juni 2011
- Erteilung
- 29. Juni 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G03F7/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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Vertreten von
Ferro, Frodo Nunes
Toulouse, Frankreich
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