Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP1966740
Art B1
17. Februar 2016
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1966740
- Aktenzeichen
- EP06843373
- Anmeldetag
- 20. Dezember 2006
- Veröffentlichung
- 17. Februar 2016
- Erteilung
- 17. Februar 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G06K19/07G02F1/1368G06K19/077G09F9/30H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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