Herstellung eines Transistor-Gates auf einer Mehrzweig-Kanalstruktur und Mittel zum Isolieren Dieses Gates von den Source- und Drain-Regionen
EP1966819
Art A1
10. September 2008
Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives, COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1966819
- Aktenzeichen
- EP06830845
- Anmeldetag
- 28. Dezember 2006
- Veröffentlichung
- 10. September 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
5.929 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Ilgart, Jean-Christophe
Paris, Frankreich
2.520
Patente gesamt
34
Fachgebiete
23
Anmelder-Länder
Schwerpunkte