Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung umfassend einen Graben-Gate Mosfet und eine Graben-Polysilizium-Diode

EP1966830 Art B1 27. März 2019

Anmelder: Vishay-Siliconix 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1966830
Aktenzeichen
EP06850435
Anmeldetag
22. Dezember 2006
Veröffentlichung
27. März 2019
Erteilung
27. März 2019
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/861H01L29/866H01L27/06H01L29/78H01L21/336H01L21/329H01L29/16
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Vishay-Siliconix
Land
🇺🇸 USA

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Richards, John Ladas & Parry LLP München, Deutschland
969
Patente gesamt
34
Fachgebiete
24
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Medizintechnik & Gesundheit Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Nachrichtentechnik & Telekommunikation Verfahrens- & Trenntechnik
Zum Anwaltsprofil
Kanzlei
Ladas & Parry LLP
969
Patente gesamt
1
Patentanwälte
1
Standorte
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