Herstellungsverfahren eines Feldeffekttransistors mit selbstjustierten Gates
EP1968106
Art B1
11. Dezember 2013
Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives, COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1968106
- Aktenzeichen
- EP08102226
- Anmeldetag
- 3. März 2008
- Veröffentlichung
- 11. Dezember 2013
- Erteilung
- 11. Dezember 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/786H01L29/08H01L21/28H01L29/66
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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Fachgebiete
Vertreten von
Ilgart, Jean-Christophe
Paris, Frankreich
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