Verfahren zur Herstellung einer Oxidschicht auf einer Siliciumcarbidschicht mit Temperung in einer wasserstoffhaltigen Umgebung
EP1968119
Art B1
23. November 2011
Anmelder: Cree, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1968119
- Aktenzeichen
- EP08159857
- Anmeldetag
- 12. April 2002
- Veröffentlichung
- 23. November 2011
- Erteilung
- 23. November 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/24H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Cree, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Cree
US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.
1.232 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Cross, Rupert Edward Blount
London, Großbritannien
2.091
Patente gesamt
33
Fachgebiete
17
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Bankes, Stephen Charles Digby
NoneBrentford