Verfahren zum Herstellen einer Siliciumkarbid-Halbleitervorrichtung

EP1970945 Art B1 9. Mai 2018

Anmelder: Nissan Motor Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1970945
Aktenzeichen
EP08152760
Anmeldetag
14. März 2008
Veröffentlichung
9. Mai 2018
Erteilung
9. Mai 2018
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/66H01L21/04H01L29/78// H01L29/45H01L29/417H01L29/94H01L29/739
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Nissan Motor Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Nissan Motor

Japanischer Automobilkonzern mit Sitz in Yokohama. Nissan entwickelt und produziert Personenkraftwagen, Nutzfahrzeuge sowie Elektro- und Hybridantriebe und ist zudem in Fahrassistenzsystemen und Fahrzeugvernetzung aktiv.

4.419 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen