ALXGAYIN1-X-Yn-Kristallsubstrat, Halbleiteranordnung und Herstellungsverfahren dafür
EP1970946
Art A1
17. September 2008
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1970946
- Aktenzeichen
- EP06811820
- Anmeldetag
- 16. Oktober 2006
- Veröffentlichung
- 17. September 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20C30B29/38H01L29/201H01L33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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