Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP1970956
Art B1
23. April 2014
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1970956
- Aktenzeichen
- EP08004499
- Anmeldetag
- 11. März 2008
- Veröffentlichung
- 23. April 2014
- Erteilung
- 23. April 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/10H01L23/525
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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