Photolithographisches System zur Herstellung von Strukturen Unterhalb des Beugungslimits
EP1971899
Art B1
10. Dezember 2014
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1971899
- Aktenzeichen
- EP07717771
- Anmeldetag
- 8. Januar 2007
- Veröffentlichung
- 10. Dezember 2014
- Erteilung
- 10. Dezember 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G03F1/50G03F7/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Fachgebiete
Kanzlei
Carpmaels & Ransford LLP
Carpmaels & Ransford gehört zu den ältesten IP-Kanzleien überhaupt und geht auf eine 1776 gegründete Patentagentur zurück. Von London, München und Dublin aus führt sie als eine der wenigen Häuser Parallelverfahren vor EPA, UPC und britischen Gerichten aus einem Team.
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