Yttriumoxid-haltiges Material, Komponente einer Anlage zur Halbleiterherstellung und Verfahren zur Herstellung von Yttriumoxid-haltigem Material
EP1972599
Art B1
12. Oktober 2011
Anmelder: NGK Insulators, Ltd., Nagaoka University of Technology, NGK INSULATORS, LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1972599
- Aktenzeichen
- EP08250811
- Anmeldetag
- 10. März 2008
- Veröffentlichung
- 12. Oktober 2011
- Erteilung
- 12. Oktober 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C01F17/00C04B35/505H01L21/683
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NGK Insulators, Ltd.
Nagaoka University of Technology
NGK INSULATORS, LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NGK Insulators
Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.
3.021 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Paget, Hugh Charles Edward
London, Großbritannien
2.000
Patente gesamt
31
Fachgebiete
19
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Schwerpunkte