Verfahren zur Herstellung von Aluminiumnitridkristall, Aluminiumnitridkristall, Aluminiumnitridkristallsubstrat und Halbleiterbauelement

EP1972702 Art B1 25. September 2013

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1972702
Aktenzeichen: EP07706498
Anmeldetag: 10. Januar 2007
Veröffentlichung: 25. September 2013
Erteilung: 25. September 2013
Rechtsraum: EP
IPC: C30B29/38H01L21/338H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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